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Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
標準包裝 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特點 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(VDSS) | 40V |
電流-連續漏極(編號)@ 25°C | 14A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 9 mOhm @ 13A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3V @ 250μA |
柵極電荷(Qg)@ VGS | 28nC @ 10V |
輸入電容(Ciss)@ Vds的 | 1640pF @ 20V |
功率 - 最大 | 3.1W |
安裝類型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供應商器件封裝 | D-Pak |
包裝材料 | Tape & Reel (TR) |
包裝 | 3DPAK |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源電壓 | 40V |
最大連續漏極電流 | 14A |
RDS -于 | 9@10V mOhm |
最大門源電壓 | ±20 V |
典型導通延遲時間 | 8ns |
典型上升時間 | 3ns |
典型關閉延遲時間 | 19ns |
典型下降時間 | 2ns |
工作溫度 | -55 to 150 °C |
安裝 | Surface Mount |
標準包裝 | Tape & Reel |
最大門源電壓 | ±20 |
歐盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作溫度 | 150 |
標準包裝名稱 | DPAK |
最低工作溫度 | -55 |
渠道類型 | N |
封裝 | Tape and Reel |
最大漏源電阻 | 9@10V |
最大漏源電壓 | 40 |
每個芯片的元件數 | 1 |
供應商封裝形式 | DPAK |
最大功率耗散 | 3100 |
引腳數 | 3 |
鉛形狀 | Gull-wing |
電流 - 連續漏極(Id ) @ 25 °C | 14A (Ta), 42A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3V @ 250μA |
其他名稱 | FDD8647LTR |
封裝/外殼 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
類別 | Power MOSFET |
外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
身高 | 2.39mm |
長度 | 6.73mm |
寬度 | 6.22mm |
頻率(最大) | Not Required MHz |
噪聲系數 | Not Required dB |
漏源導通電阻 | 0.009 ohm |
晶體管材料 | Si |